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本帖最后由 songkaide 于 2009-3-18 21:13 编辑 # _# g6 Z/ K8 U( [9 |5 \6 {# ~
, }- K/ y9 H- e/ H( h) `三星 三星型号: 1GB(PC-133/R-ECC) 售后服务: 其它售后服务 接口类型: 168PIN 内存电压: 3.3v 颗粒封装: TSOPII 内存工作频率: 133MHz 成色: 全新 新奇特: 新鲜出炉 * K9 s; C" X" w; w
原装 1G SD 内存ECC 133MHz 兼容性好 台式机3 y0 o+ {, A+ M9 L7 T& m* t
注:主板为845S,华硕694X 朋友们的福音啊!VIA 694T 芯片P3主板可以支持单条1G系统也可以认1G不错!好东西可购买此内存,我升级试用没有问题,且可以和其它非ECC内存共用。
* b. b4 t, w1 U. S% d: V原装 HP1G SD 服务器内存 133MHz 兼容性好 台式机9 B/ P# b0 [+ V( I7 y! A1 X
支持 815 694 693 VIA SIS
8 k, c0 Y, V5 ~3 `5 c; e7 W4 \8 p
华硕694X 主板可用.很好用2 ~: F9 F. O4 E% O( h7 T9 V
$ \7 v( y; M! q9 V% o, ?K7SEM 133 主板可用(认512系统里可以检测到1G8 L, H2 F0 {6 T: W# I+ a
INTEL 810 主板可用(认256)系统里可以检测到1G
, l# A3 B) f8 g+ O; @8 m9 i+ ?% \* eINTEL 815 主板可用(认512)系统里可以检测到1G) t4 l3 \8 g0 q: `* Z
QDI 845 主板可用(部分认512)系统里可以检测到1G
) V$ \! t7 B' w3 `VIA 系列主板可用
1 n" P* L2 G, X" m9 w+ y注:主板为845S,华硕694X 朋友们的福音啊!VIA 694T 芯片P3主板可以支持单条1G系统也可以认1G不错!好东西可购买此内存,我升级试用没有问题,且可以和其它非ECC内存共用。
]7 T1 u5 D5 I1 _8 [1 \% a升级后的效果:1 N2 ]& T7 B1 @7 Q
Everest检测结果8 Z1 \, w" a! N z; s
内存模块
, x4 \, S5 h# l( y: t3 k b- z模块名称 Samsung M3 90S2858ET1-C7A
- a. k- `9 Q6 p序列号 030F7306h (108203779)
. _3 k% `3 S4 o制造日期 5 周 / 2021; N) u& C* w G* E( A
模块容量 1 GB (2 ranks, 4 banks)) t) t: Z9 k, @
模块类型 Registered5 ^5 v: r. m$ J, r. F. Z
存取方式 SDRAM
9 l* Q4 U, U" j7 R4 ^存取速度 PC133 (133 MHz)6 H- R/ a4 \0 F% v
模块位宽 72 bit
' l4 B& c( [" j( `3 ~模块电压 LVTTL( S: c, {% a+ o @' U
错误检测方式 ECC
4 z4 z1 G5 A- @$ W3 A) m0 Q刷新周期 简化 (7.8 us), Self-Refresh) c9 b. g9 C3 k% B* `
4 W" `! g& w8 `# q* R$ g4 r# }
内存计时
& |1 q4 p1 T8 G1 u2 ?; H@ 133 MHz 3.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
: V! }$ P0 }) _7 X: w@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
4 p o- L, `! ^0 r/ e# ^4 Y% F
) b# t% K# C4 F/ W) @, {+ L5 N# `内存模块特征
5 K& z8 T# N& ~( c0 P ~; |$ Z. @Early RAS# Precharge 不支持$ o/ o3 P* \ e1 N
Auto-Precharge 支持& Y* f9 n5 P, I. z. g! h
Precharge All 支持
5 ]9 `' ?9 D+ d. s: F! IWrite1/Read Burst 支持
* _( d" e- U9 I9 E. H1 k2 eBuffered Address/Control Inputs 支持
! r+ D. k( e6 X# \6 \$ l( oRegistered Address/Control Inputs 支持$ o! e& G5 ^4 u6 B, z# }
On-Card PLL (Clock) 支持 V9 L6 v) A5 z# J1 p
Buffered DQMB Inputs 支持
; n* W+ f& x. a* {. ERegistered DQMB Inputs 支持
9 C- N9 r. e* n" ZDifferential Clock Input 不支持
& K$ b7 @3 ~: W1 D* [4 }: VRedundant Row Address 不支持
4 s6 N A3 _9 h) j- K7 F# D# }& F- E# C6 l0 ]% C
内存模块制造商
. V' Y$ }' |+ @) K% g2 ~公司名称 Samsung' V5 J @: T C! ~
项目 数据$ C' P& S7 ?& p5 f4 y
北桥
7 {$ \3 `! h: P0 I( `! c6 G北桥 VIA VT82C694T Apollo Pro133T
* Y, L% w1 m& h% {, A) l" f支持前端总线频率(FSB) 66 MHz, 100 MHz, 133 MHz
' P. W6 f" Z2 P+ B+ d支持内存类型 FPM, EDO, PC66 SDRAM, PC100 SDRAM, PC133 SDRAM7 `1 _/ F! f$ {2 j9 j7 Z7 j& F
Tualatin CPU 支持
* P, i# S8 j! G3 B# U0 w, o3 e4 B2 H6 |/ w* q& l
- D# i5 m i# p/ {% D- A
内存插槽 ( C* U9 i {& v0 w0 o
DRAM 插槽 1024 MB (PC133 SDRAM,抱歉,不用小家币的,楼下的咋还给你! |
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